迎戰台積電? 英特爾公開未來5年技術發展歷程 高通列代工對象

特約記者洪聖壹/綜合報導

英特爾公司稍早揭露 IDM 2.0 未來 5 年的計畫,當中包括製程與封裝技術的最新路線與產品規劃,以及進入半導體的埃米(angstrom)時代之後的全新命名。另外也公開了全新電晶體架構 RibbonFET、由背部供電的方案 PowerVia,以及 3D封裝技術 Foveros Omni和 Foveros Direct,目標希望在 2025 年達到領導地位。

英特爾副總裁汪佳慧指出,此次活動揭露了英特爾從現在開始到 2025 年的一個新的發展,主要說明兩大重要意義,第一個是英特爾將持續加速創新,並且持續前進。在 IDM2.0 底下,不管現在還是未來的製程,英特爾在與台灣業界以及第三方公司緊密合作之下,已經看到很大的前景與發展動能,未來不管 PC 產業、AI、雲端、邊緣運算等面相將會持續佈局,並且往這方向發展。

英特爾台灣創新科技總經理謝承儒表示,英特爾是目前業界唯一垂直整合設計、製造、封裝技術的公司,並且在生產能力方面,包括前段、後段技術,也結合業界資源共同發展。而目前以「奈米」為基礎的製程節點命名方式,並不符合自1997年起採用閘極長度為準的傳統。

謝承儒指出,此次針對製程產品重新命名,主要是希望讓大家有比較有清楚的認知,舉例來說,將過去 10 nm技術產品將命名為 intel 7,但是 intel 7 也等同於業界俗稱的 7 奈米技術。

英特爾今日公布其製程節點全新的命名結構、未來製程與效能藍圖規劃說明如下:

· Intel 7:植基於 FinFET(鰭式場效電晶體)最佳化,相較 Intel 10nm SuperFin 每瓦效能可提升大約 10%~15%。Intel 7 將會使用在 2021 年的 Alder Lake 用戶端產品,以及 2022 年第一季量產的 Sapphire Rapids 資料中心產品。

· Intel 4:全面使用極紫外光(EUV)微影技術,透過超短波長的光,印製極小的形狀。伴隨每瓦效能提升約 20%,以及面積改進,Intel 4 將於 2022 下半年準備量產,2023 年開始出貨,client 用戶端 Meteor Lake 和資料中心 Granite Rapids 將率先採用。

· Intel 3:進一步汲取 FinFET 最佳化優勢與提升 EUV 使用比例,以及更多的面積改進, Intel 3 相較 Intel 4 約能夠提供18% 的每瓦效能成長幅度。Intel 3 將於 2023 下半年準備開始生產。

· Intel 20A:以 RibbonFET 和 PowerVia 這 2 個突破性技術開創埃米(angstrom)時代。RibbonFET 為英特爾環繞式閘極(Gate All Around)電晶體的實作成果,亦將是自 2011 年推出 FinFET 後,首次全新電晶體架構。此技術於較小的面積當中堆疊多個鰭片,於相同的驅動電流提供更快的電晶體開關速度。PowerVia 為英特爾獨特、業界首次實作的背部供電,藉由移除晶圓正面供電所需迴路,以達最佳化訊號傳遞工作。Intel 20A 預計將於 2024 年逐步量產。

英特爾還宣布,高通(Qualcomm) 將採用全新的 Intel 20A 製程技術。這意味著未來幾年,高通將開始使用英特爾即將推出的 20A 工藝製造其晶片,不過這場活動當中,並沒有公開出貨時程與相對應的高通產品線。

2025 年之後,英特爾規劃將推出「改良自 RibbonFET」的“Intel 18A”,並且在活動當中透露:intel 18A 已經進入開發階段,預計於2025 年初問世,預期將為電晶體帶來另一次的重大性能提升。

除了首次發表全新電晶體架構 RibbonFET 外,英特爾也正在定義、建立與佈署下一世代的 EUV工具,稱之為「高數值孔徑(High NA)EUV」,並且有望獲得業界首款 High NA EUV 量產工具。英特爾正與 ASML 緊密合作,確保這項業界突破技術能夠成功超越當代 EUV。

英特爾新的 IDM 2.0 策略,對於實現摩爾定律優勢而言,封裝變得越來越重要。英特爾宣布 AWS 將是第一個採用 IFS 封裝解決方案的客戶,並同步提供下列先進封裝藍圖規劃的遠見。而 Sapphire Rapids 將會是首款量產出貨,具備 EMIB (embedded multi-die interconnect bridge) 的 Intel Xeon 資料中心產品。它也會是業界首款具備 4 個方塊晶片的裝置,提供等同於單一晶片設計的效能。Sapphire Rapids 之後,下一世代的 EMIB 將從 55 微米凸點間距降至 45 微米

除了工藝路線圖之外,英特爾還宣布了其 Foveros 晶片堆疊封裝技術的兩項重大更新(其中第二代將於 2023 年在英特爾 4 的 Meteor Lake 中首次亮相。)Foveros 晶片堆疊結合了像是英特爾的 Lakefield 晶片,它將五個 CPU 內核、一個集成 GPU 和 DRAM 堆放在一個緊湊架構當中,與傳統設計相比,這樣的設計可以節省內部空間。Meteor Lake 將會是 Foveros 在用戶端產品實作的第二世代,其具備 36 微米凸點間距,晶片塊橫跨多種製程節點,熱設計功耗從5至125瓦。

針對 3D 封裝技術 Foveros Omni和 Foveros Direct,分述如下:

Foveros Omni:採用晶片與晶片連結與模組化設計,提供不受限的靈活高效能3D堆疊技術。Foveros Omni允許混合多個頂層晶片塊與多個基底晶片塊,以及橫跨多種晶圓廠節點的分拆晶片(die disaggregation)設計,預計將於2023年準備大量生產。

Foveros Direct:為降低互連電阻,改採直接銅對銅接合技術,模糊了晶圓製造終點與封裝起點的界線。Foveros Direct能夠達成低於10微米的凸點間距,提升3D堆疊一個量級的互連密度,為原先被認為無法達成的功能性晶片分割開啟新頁。Foveros Direct是Foveros Omni的補充技術,同樣預計於2023年問世。

英特爾執行長基辛格(Pat Gelsinger)表示:今天所揭曉的各種創新,不僅開展了英特爾的產品路線規劃,它們對於我們晶圓代工的客戶也相當重要。

此次活動當中,英特爾展現了所有產品技術發展藍圖,從中可以看出,intel 20A 將是該公司掀出的第一張王牌。而 2025 年初推出的 18A,預期將讓英特爾走向半導體領到地位,當然這中間需要仰賴許多合作夥伴的配合,所有時程配合得到才行,因此活動當中也提到台灣第三方合作廠商的重要性,某方面來說,英特爾也是希望透過此次藍圖規劃,讓更多廠商了解到其市場定位與未來發展意義。

分享給朋友:

※本文版權所有,非經授權,不得轉載。[ ETtoday著作權聲明 ]

中和中正路一排「深V車頭燈」! 西施辣照瘋傳...老司機:嫂子很火

相關新聞

關鍵字:

讀者迴響

熱門新聞

最夯影音

更多

熱門快報

回到最上面