更小、更省電!三星二代10nm級8GB手機記憶體或將用於Note 9

記者洪聖壹/台北報導

三星電子宣布開始批量生產業界首款10nm級LPDDR4X DRAM,功耗比前代降低10%、體積更小,同時保持4,266Mbps速度,同時預告將為今年晚些或2019年初的智慧型手機所採用。

根據介紹,三星將擴大其基於10nm工藝的 DRAM產品線,這次推出的晶片主要透過四個10nm級16Gb LPDDR4X DRAM晶片組合一個8GB LPDDR4X的四通道行動DRAM封裝,可以實現每秒34.1GB的數據速率,其厚度從第一代封裝產品減少了20%以上、功耗降低10%。

隨著10nm級LPDDR4X的推出,三星已經開始在韓國平澤市打造一條新的DRAM生產線,以確保所有移動DRAM芯片的穩定供應,預計提供4GB、6GB和8GB LPDDR4X封裝產品。

三星DRAM銷售高級副總裁Sewon Chun在官方資訊當中指出,10nm級DRAM的問世將為下一代旗艦行動設備提供顯著增強的解決方案,預計將於今年晚些或2019年上半年首次上市,依照產品發表時間,率先採用該產品的手機,將會是Galaxy Note 9 以及 Galaxy S9系列。

*資料來源:Samsung

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※ 資料來源:內政部警政署165打詐儀錶板

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