傳高通S835為八核心 三星Galaxy S8於MWC首發亮相

記者洪聖壹／台北報導

三星與高通共同宣布攜手推出 Qualcomm Snapdragon 835處理器，然而官方公告除了效能提升與採用10奈米FinFET製程外，並沒有更進一步的規格訊息，不過從中國地區洩露的一份文件當中，說明著該款處理器採用的核心數又回到八核心，而不是S820的四核。

根據這份文件來看，S835型號為MSM8998，採用的是Kyro 200的 4+4 核心處理架構，而不是延續高通S820所建立的四核心架構標準，並且支援四通道的LPDDR4X-1866存取，並且支援最新儲存設備標準UFS 2.1，這個標準主要提供的是安全寫入保護、裝置使用壽命等功能。

資料還顯示該款處理器採用LTE X16數據晶片，支援LTE Cat.16標準，最高理論下載速度可達1Gbps。GPU 為 Adreno 540。另外，這份資料也透露了高通S660處理器採用三星14nm FinFET LPP製程，Adreno512 GPU，X10數據晶片等規格細節。

目前已經確認搭載Qualcomm Snapdragon 835處理器的設備，將於 2017 年初上市，然而該份文件提到，三星旗下 Galaxy S8 將可能是搭載該處理器的第一支手機，預期將於2017年在西班牙巴塞隆納舉辦的世界移動通訊大會(MWC 2017)期間亮相。

※資料來源：SAMMobile、gizmochina