比傳統記憶體快1000倍！intel 發表 3D XPoint 技術

記者洪聖壹／台北報導

今年下半年，Intel 今年下半年的重點將會放在次世代處理器佈局，然而比較讓人意外的地方在於這個比傳統記憶體（DRAM）採用的 NAND Flash 技術還快上 1,000 倍的 3D Xpoint 技術，歷經十多年的開發，終於發表。

這項技術由 Intel 與 Micron 共同宣佈，歷經超過十年的 3D XPoint 技術已經完成開發，這項技術採用交叉式陣列結構組成，讓每個垂直導體更有效率的排列，進而有效連結 1280 億個記憶體儲存單元，每個記憶體儲存單元還可以堆疊，密度比傳統記憶體高出 10 倍，初步規劃是讓每個單元儲存 128GB，可以推疊成兩層記憶體元件，進而在單位面積底下提供更大的緩存與儲存空間。

另外還有一項，是有關於微型化儲存單元的技術突破，這項技術配合新的作業系統，藉由 Selector、快速寫入、低延遲交叉結構等方式改善了每個記憶體單元的儲存跟讀取的電壓需求，同時又可以進一步發揮記憶體儲存與讀取的效率。

根據 intel 官方數據指出，在導入 3D XPoint 技術的非揮發性記憶體（NVM），將比現有採用 NAND Flash 技術的記憶體（RAM）還要快上 1,000 倍，耐用度部分也提升 1,000 倍，當然，以現有規劃來說，應該就是率先導入商用市場。