記者洪聖壹／台北報導
其實早在公佈 QC 4.0 快充技術之前，高通已經悄悄發表新一代旗艦處理器，型號為 Qualcomm Snapdragon 835，採用三星代工的 10nm FinFET 製程，相較 S820 處理器來說，體積小了 30%，效能卻又提升 27%，運作時卻又可以降低40%的功耗，將讓明年的手機平板更薄、效能更強，卻又更省電。
在紐約舉行的高通Snapdragon技術峰會期間，高通與三星攜手發表全新一代旗艦級處理器 Qualcomm Snapdragon 835，採用 10nm FinFET製程，著重在更小、效能更強，這意味著設備製造商有更多的可用空間提供更大的電池，或者是更薄的手機設計。
Qualcomm Snapdragon 835 相較於 Qualcomm Snapdragon 820 來說，體積小了 30%，效能卻又提升 27%，運作時卻又可以降低40%的功耗。
高通、三星同時宣布，Snapdragon 835 即日起開始出貨，預期於 2017 年上半年初，就會有搭載該處理器的產品推出，或許可以期待的是，明年 4 月亮相的三星 Galaxy S8，將可望是首款搭載該處理器的智慧型手機。
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