台積電「新RD研發中心」預計2021年啟用!擴增8000名科學家、工程師組研發大軍

▲台積電業務開發資深副總經理張曉強透露新建的R&D研發中心最新消息。(圖/翻攝自台積電)

▲台積電業務開發資深副總經理張曉強透露新建的R&D研發中心消息。(圖/翻攝自台積電)

記者楊絡懸/台北報導

晶圓代工廠「台積電」(2330)25日舉行技術論壇,業務開發資深副總經理張曉強表示,台積電持續擴大投資,2019年半導體研發經費高達近30億美元,保證在今天、在未來的最領先技術帶給客戶,同時他也透露,台積電新建的R&D研發中心,會有一條全世界最領先的半導體研發生產線,預計在2021年建成,將容納8000位科學家和工程師。台積電將繼續研發、投資、創新,帶動半導體新技術的開發。

張曉強介紹,台積電7奈米於2017年進入量產,很快成為5G、AI、HPC領域最重要的技術,至今為止已產出10億顆,「我可以坦白地講,你的5G手機最重要的晶片出自台積電7奈米。」其中,極紫外光(EUV)科技是未來發展重要的核心技術,台積電是第一家量產EUV的公司;2019年下半年提到的6奈米製程,目前已進入試產,除了提高7奈米的效能,最大的好處是平台兼容性,沿用客戶投資並得到回報。

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台積電2020年再次領先全球,率先進入5奈米製程量產,比起7奈米,速度提高15%,功耗降低30%,邏輯電晶體密度增1.8倍,良率超過同一時期量產的7奈米,同時也推出「5奈米加強版」(N5P)。張曉強進一步指出,4奈米則是建立在5奈米平台上,把5奈米效能與功耗進一步向前推進,4奈米與5奈米互相兼容,2021年第四季試產、2022年量產。

至於3奈米製程,張曉強表示,沿用FinFET(鰭式場效電晶體)的原因,這裡有兩大考量,研發團隊通過不斷創新革新,發現新方式把FinFET提升到新的高度,同時盡快交給客戶使用,因此決定延用FinFET製程;不過他也強調,3奈米是全新的節點技術,在各方面效能都有明顯提高,與5奈米相比,速度增加10%至15%,功耗降25%至30%,邏輯電晶體密度增1.7倍,預計2022年下半年量產。

▲台積電業務開發資深副總經理張曉強透露新建的R&D研發中心最新消息。(圖/翻攝自台積電)

▲台積電新建的R&D研發中心,會有一條全世界最領先的半導體研發生產線,預計在2021年建成,將容納8000位科學家和工程師。(圖/翻攝自台積電)

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