▲美國總統川普（Donald Trump）。（圖／路透）
記者閔文昱／綜合報導
美國總統川普近日接受《福斯新聞》（Fox News）專訪時，再度指控台灣「偷走」美國半導體技術，引發各界關注。對此，聯電創辦人曹興誠20日透過臉書發文強調，川普的說法「絕非事實」，並痛批台灣政府與台積電至今未公開澄清，「失職失能極其嚴重」。他認為，台灣不該繼續悶著頭挨罵，行政院、工研院與台積電應召開國際記者會，完整說明台灣半導體技術的歷史來源與發展過程，以正國際視聽。
曹興誠還原1976年技轉歷史
曹興誠指出，台灣半導體技術最初是合法向美國購買而來。1976年3月5日，工業技術研究院代表台灣與美國RCA公司簽署為期10年的技術移轉合約，總金額達350萬美元，其中包含250萬美元技術移轉費與100萬美元技術授權金。在當時台灣國民平均年所得不到400美元的年代，這是一筆龐大的國家級投資。
他表示，政府當年還為「積體電路計畫」編列約1000萬美元預算，除了支付RCA技術費外，其餘資金用於興建台灣第一座3吋晶圓示範工廠，並派遣包括他本人、史欽泰、曾繁城、劉英達、蔡明介等20多位年輕工程師赴美受訓。當時台灣選擇購買7微米CMOS技術，而非更先進的3.5微米NMOS技術，主要考量是成本較低且較省電，適合台灣當時消費電子產業需求。
▲台積電。（圖／路透）
聯電成功後 台積電接棒起飛
曹興誠回憶，工研院示範工廠運作成功後，政府決定將技術移轉給1980年成立的聯華電子公司，建立4吋晶圓廠並推向商業化。聯電成立時還免費提供經濟部15%的技術股，作為技轉代價。他表示，聯電在1983年已創下每股近7元淨利，並於1985年成功上市。
受到聯電成功激勵，政府1983年再投入約1億美元，在工研院內建立3微米技術的6吋晶圓示範工廠，歷時4年完成技術研發，同時培養約400名工程師。1987年，這批工程師全數轉進新成立的台積電，並由台積電回頭租用該示範工廠，讓台積電成立之初就擁有可商業化的3微米技術與生產線。
曹興誠指出，台積電當時每年僅以200萬美元低廉費用租用工研院示範工廠，經濟部還先提供700萬美元作為「研發費用」，形同無償使用工廠3年半。他直言，這正是台積電能快速起飛的重要原因。
▲聯電創辦人曹興誠。（圖／記者李毓康攝）
再提「化公為私」爭議 批政府不該沉默
曹興誠也重提當年爭議，指出時任台積電董事長張忠謀同時兼任工研院董事長，因此曾被質疑有「化公為私」疑慮。他透露，自己當年曾公開要求聯電也能參與工研院示範工廠租用比價，但最後遭到政府打壓，甚至差點因此被聯電董事會解職。
他認為，或許因為如此，台積電始終對技術來源避而不談，也在面對美國多次指控台灣「偷技術」時保持沉默。曹興誠警告，川普一再以「台灣偷走美國半導體技術」作為論述，不僅是外交上的不友善，更可能成為逼迫台灣赴美設廠、削弱「矽盾」的重要藉口。
因此，他強烈建議行政院、工研院與台積電應公開說明台灣半導體產業的發展歷程，向國際社會清楚交代，台灣的半導體實力是歷經數十年投入巨額資源、培養人才與艱苦研發累積而成，「不是偷來的」。
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