英特爾公布「全球最薄」氮化鎵晶片 川普讓股價飆漲200％

▲英特爾研發出全球最薄的氮化鎵晶片（GaN chiplet）。（圖／翻攝Intel Foundry）

記者葉國吏／綜合報導　

英特爾代工服務（Intel Foundry）再創里程碑，成功打造全球首款、也是目前最薄的氮化鎵（GaN）晶片，厚度僅19微米，不只刷新製程紀錄，也為高效能運算與通訊應用帶來全新想像。值得注意的是，自美國總統川普宣布投資英特爾後，至今股價漲幅超過200％。

英特爾表示，旗下晶圓代工中心研究團隊以300毫米矽基氮化鎵晶圓為基礎，完成前所未見的GaN晶片技術展示。這項突破被視為半導體設計的一大躍進，相關成果已對外公布，引起產業高度關注。

英特爾晶圓代工中心說明，這項技術已於2025年IEEE國際電子元件會議（IEDM）亮相，核心目標是解決運算設備在有限空間中，仍需追求更高效能與能源效率的難題。團隊開發的超薄GaN晶片，矽基底僅19微米，約為頭髮直徑的五分之一，並首次在單一製程中，完整整合晶片上的數位控制電路。

英特爾指出，隨著傳統矽技術逐漸逼近物理極限，GaN成為關鍵替代方案。這種整合設計能減少額外晶片需求，降低訊號傳輸損耗，可靠性測試結果也顯示具備商品化潛力。未來不論是資料中心節能運算，或5G、6G基地台所需的射頻前端，都可望受惠。

值得注意的是。自美國總統唐納．川普（Donald Trump）於2025年8月22日宣布政府入股英特爾後，截至2026年4月9日，英特爾股價已從20美元區間一路攀升，收盤站上61美元，漲幅超過200％。