美參院投票通過《創新與競爭法案》 逾5兆元投入半導體等技術研製

▲▼拜登寄望在半導體的研製上能掌握關鍵先進技術,以抗衡中國的擴張。(圖/路透)

▲拜登寄望在半導體的研製上能掌握關鍵先進技術,以抗衡中國的擴張。(圖/路透)

記者張靖榕/編譯

美國參議院於美東時間周二(8日)表決,以68票對32票,通過金額超過2000億美元的《美國創新與競爭法案》,以加速美國的半導體、量子科學以及高端先進技術的革新,抗衡中國近年崛起的經濟和軍事擴張。

根據路透社報導,這項匯聚兩黨共識的法案估計授權1900億美元(約新台幣5.24兆元),提供美國加強科技和科學研究的項目,另外會單獨通過520億美元(約新台幣1.44兆元)的投資,投入半導體和通訊設備的研製。參議院通過該法案後,眾議院也必須通過才會遞交給總統拜登簽署法案。

這項法案主要分為4點,包括投入520億美元支持全國半導體研發製造,在本土進行零組件生產;在2022經濟年度至2026經濟年度間,授權810億美元(約新台幣2.24兆元)給國家科學基金會,用於人工智慧、量子科學等領域進行研發;授權169億美元(約新台幣4685億元)供能源部進行能源產業鏈關鍵科技領域相關的研發;還有禁止美國外交官參與2022年的北京冬季奧運。

此前民主黨籍參議院多數黨領袖舒默(Chuck Schumer)表示,中國共產黨在半導體生產方面的投資相當積極,投入了1500億美元(約新台幣4.14兆元)進行研發製造,企圖控制先進技術。而舒默和其他參議員們皆希望《美國創新與競爭法案》能讓不只美國本土的晶片製造上,就連外國的晶片製造商都能在美國進行該領域最先進技術的研製,目前全球半導體製造掌握最先進技術的就是南韓三星和台灣台積電。

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