力旺NeoFuse矽智財導入聯電28奈米HV製程 搶攻OLED市場 

▲▼聯電Fab8s。(圖/記者周康玉攝)

▲力旺NeoFuse導入聯電28奈米製程。(圖/資料照)

記者周康玉/台北報導

聯電今(20)日表示,力旺電子一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse已成功導入聯電28奈米高壓(HV)製程,強攻有機發光二極(OLED)市場,關鍵客戶已經完成設計定案(Tape Out)並準備量產。

力旺業務發展中心副總何明洲表示,非常開心與聯電在28奈米高壓製程的合作,因應OLED市場的需求,為客戶帶來最大的價值。

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聯電矽智財研發暨設計支援處林子惠處長表示,力旺NeoFuse矽智財使我們的客戶得以客製化IC以符合OLED市場的高規需求。不管是之前的55奈米、40奈米到現在的28奈米高壓製程,聯電與力旺的合作成果都是非常正面的。

高階手機配備OLED顯示器已然成為趨勢,對小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)效能要求亦更高,這樣的需求也顯示在製程平台的選擇上,OLED關鍵客戶逐漸從55奈米或40奈米往更先進的28奈米高壓製程靠攏。

28奈米高壓製程可使高效能顯示器引擎的複雜運算能力發揮最大功能,提供OLED顯示器驅動晶片更快的資料存取速度,更高容量的靜態隨機存取記憶體(SRAM)及更好的功耗,同時達到高畫質與省電的的目的。

聯電在2019年的SDDI量產晶圓出貨量為全球之冠,其28奈米後閘式(Gate-Last) HKMG製程具備優越管理漏電功耗與動態功率表現,可以提升行動裝置的電池壽命,以此為基礎,其28奈米高壓製程提供業界最小的SRAM記憶單位(Bit-cell)以減少晶片整體面積。

力旺是世界領導之邏輯非揮發性記憶體矽智財廠商,其NeoFuse矽智財為各種類型之應用提供低功耗、高可靠度、高安全性之解決方案,已經廣泛佈建於世界各大晶圓廠,從0.15um製程至先進製程節點均已佈建。

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