格芯攜Arm推出高密度3D測試晶片 瞄準高端消費電子

▲▼人工智慧運用海量數據進行精確評估。(圖/達志影像/美聯社)

▲格芯推高密度3D測試晶片,滿足高端消費性電子應用需求。(圖/達志影像)

記者周康玉/台北報導

晶圓代工廠格芯(Globalfoundries)今(12)日宣布攜手Arm推出高密度3D測試晶片,此晶片採用格芯12奈米領先性能版本(12LP)FinFET製程,滿足資料中心、邊緣運算和高端消費性電子產品應用的需求。

這款高密度3D測試晶片已成功流片生產,實現更高水準AI/ML與高端消費者行動及無線解決方案等效能,顯示Arm和格芯在研發差異化解決方案方面取得快速進展,提升可擴充高效能運算的裝置密度和效能,從而實現可伸縮高性能運算。

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此外,兩公司還驗證了一種3D可測試設計(Design-for-Test,DFT)方法,使用格芯的混合式晶圓對晶圓接合,每平方公厘多達100萬個3D連接,拓展12奈米設計在未來的應用。

Arm研發部副總裁Eric Hennenhoefe表示,Arm的3D互連技術能使半導體產業強化摩爾定律,使運算應用更加多樣化。

格芯研發平台首席技術專家John Pellerin表示,先進封裝比以往扮演更重要的角色,與Arm攜手合作,提供先進的封裝解決方案,進而整合針對SFF規格(Small Form Factor)的邏輯微縮、記憶體頻寬和RF效能優化的各種節點技術,有助客戶能更有效創建完備的差異化解決方案。

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