円星開發台積電28奈米嵌入式快閃記憶體製程IP

▲專攻積體電路矽智財的円星科技,預計明年一月下旬掛牌上櫃。圖為円星科技董事長林孝平。(圖/記者林淑慧攝)

M31円星董事長林孝平。(圖/資料照)

記者周康玉/台北報導

矽智財廠円星科技M31(6643)宣布,將在台積電28奈米嵌入式快閃記憶體製程技術 (TSMC 28nm Embedded Flash Process) 開發SRAM Compiler IP,預計於今年第3季提供客戶設計整合使用。

M31円星董事長林孝平表示,円星在台積電領先業界的28奈米嵌入式快閃記憶體製程開發的IP,除了可以縮短設計週期,同時能降低SoC功耗並提高效能,可廣泛應用於高速的資料處理、電源管理,物聯網、車用電子,以及行動通訊等產品的設計上。

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台積電設計建構行銷事業處資深處長Suk Lee表示,嵌入式快閃記憶體技術對於支援智慧行動,汽車電子和物聯網等廣泛應用至關重要。藉由M31與台積電28奈米嵌入式快閃製程技術努力合作開發的IP,將有助於設計人員優化SoC,實現速度,面積和功耗之間的成功平衡。

此次M31以台積電28奈米嵌入式快閃記憶體製程技術開發的SRAM Compiler IP功能齊全,支援多種節能模式, 使用者可依據不同操作狀態,切換到當下最佳省電模式,來延長行動元件電池的使用時間,以提供客戶更多元的產品運用。

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