英特爾記憶體模組H10大跨步 結合兩大革命性技術

▲▼英特爾具有固態儲存的Intel Optane記憶體H10,採用Intel Optane技術與Intel QLC 3D NAND兩大技術。(圖/業者提供)

▲英特爾具有固態儲存的Intel Optane記憶體H10。(圖/業者提供)

記者周康玉/台北報導

晶片巨頭英特爾(Intel)在今年初的CES中發布Optane記憶體H10,但卻對H10的技術規格保密到家,今(11)晨正式公布H10的詳細資訊,這回英特爾做一個大突破,將IntelR Optane技術和IntelR Quad Level Cell (QLC) 3D NAND技術的儲存容量整合在節省空間的單一M.2尺寸規範模組當中,結合兩種革命性的記憶體和儲存技術。

英特爾非揮發性記憶體解決方案事業群資深副總裁暨總經理Rob Crooke指出,具有固態儲存的Intel Optane記憶體H10,採用Intel Optane技術與Intel QLC 3D NAND的獨特組合,體現消費者對記憶體和儲存的顛覆性創新設計,並以獨一無二的方式釋放Intel連接平台的完整功能;並認為,能在單一的M.2尺寸規範模組中結合了兩種革命性的記憶體和儲存技術,是一種創新設備,

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英特爾將兩大技術結合在同一個模組M.2中,可將Intel Optane記憶體的應用,從桌上電腦擴展到輕薄的筆記型電腦,減少對於第二顆資料儲存設備的需求。

此外,具有固態儲存的Intel Optane記憶體H10將具有以下容量的選擇,16GB (Intel Optane記憶體) + 256GB (儲存);32GB (Intel Optane記憶體) + 512GB (儲存);和32GB (Intel Optane記憶體) + 1TB儲存。

採用H10並搭載第8代IntelR Core U系列行動平台後,將使啟動文件檔案的速度提高2倍、遊戲啟動速度提高60%、打開媒體檔案的速度提高90%等。

此裝置未來會出現在Dell、HP、ASUS、Acer等OEM廠的首批系統,也會在Best Buy和Costco等通路上架,將於第二季就會出貨。

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