三星今年資本支出位居第一 海放英特爾、台積電

▲▼半導體矽晶圓。(圖/達志影像/美聯社)

半導體大廠展開激烈的資本支出競賽。(圖/達志影像)

記者周康玉/台北報導

全球半導體大廠展開激烈的資本支出競賽中。IC Insights最新預測,三星支出今年資本支出為226億美元,不僅海放第二名英特爾,還是台積電的2倍。

企業的資本支出越高,代表對來年的景氣和產業前景的看好。

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根據IC Insights對全球半導體廠資本支出預測,三星這兩年(2017、2018)資本支出為468億美元,幾乎與英特爾和台積電共同設定的484億美元的兩年資本支出一致,帶給英特爾台積電等競爭者極大壓力。

報告預估,儘管三星今(2018)年的資本支出較去年的242億美元略為下滑7%、為226億美元,但仍將蟬聯半導體業資本支出冠軍,且兩年總額達到468億美元的驚人水準。

全球半導體大資本支出排名。(資料來源:IC Insight)

▲▼三星今年資本支出位居第一 海放英特爾、台積電。(資料來源:IC Insight)

根據下圖顯示,三星自2010年開始,半導體資本支出正式突破100億美元。值得注意的是2017年的資本支出成長比前一年(2016年)增加了一倍以上。

報告指出,三星近兩年來的強勁資本支出恐帶來負面影響,其中一個就是已經發生的記憶體產能過剩問題。IC Insights認為,三星對3D NAND閃存的巨額支出,加上競爭者海力士、美光、東芝、英特爾等競相追趕,造成今年第三季以來的產能過剩現象。

此外,位居第三名的SK-海力士今年亦增加資本支出,今年初,SK-海力士就宣布資本支出要增加至少30%。SK-海力士增加資本支出的原因,是因韓國清州3D NAND閃存晶圓廠,及中國無錫的大型DRAM工廠的擴建。

總體而言,該報告預測今年半導體行業的資本支出總額將增長15%至1071億美元,創歷史新高,然而明年將會下滑12%。

▲▼三星今年資本支出位居第一 海放英特爾、台積電。(資料來源:IC Insight)

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