台積電美國投資上兆力推3奈米 外媒:英特爾心理壓力大增

▲台積電亞利桑那州晶圓廠第二期工程,計畫在2026年投入生產3奈米製程。(圖/ETtoday資料照)

記者吳珍儀/綜合報導

台積電(2330)於6日晚間宣布,亞利桑那州晶圓廠第二期工程將開始興建,並計畫在2026年開始生產3奈米製程,投資金額增加兩倍多,約400億美元(約新台幣1.2兆元)。

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台積電周二表示,計劃在亞利桑那州鳳凰城建設第二期晶圓廠工程,並將於2026年上線,用以生產3奈米製程。台積電也更新表示,第一期生產的則是4奈米製程,而不是最初計劃的5奈米製程,預計在2024年完工上線。

據外媒報導,在蘋果、英偉達和AMD等台積電客戶,推動台積電在美國提供比5奈米更先進的4奈米製程晶片之後,台積電提高了投資金額至約400億美元,遠高於最初計畫的120億美元。

英國《金融時報》報導指出,目前大部分半導體生產仍在亞洲,不過預計這是美國努力再次成為晶片製造領域領導者,並降低對亞洲晶片製造商依賴的重大勝利。

台積電加碼投資美國亞利桑那州晶圓廠,對於同樣在亞利桑那州興建先進製程晶圓廠的英特爾造成壓力,英特爾晶圓代工服務業務 (IFS) 仍在起步階段,尚不能滿足龐大市場需求。而英特爾執行長基辛格並未到台積電移機典禮現場,仍透過推文表示歡迎台積電。

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