超越台積電!南韓三星電子宣布「量產」3奈米晶片 可節省45%電力

▲三星電子總部展示的半導體晶圓。(示意圖/達志影像)

記者羅翊宬/編譯

南韓三星電子自知在半導體產業上落後台積電(TSMC),在副會長李在鎔假釋出獄、回歸經營團隊後,便想方設法縮短與台積電之間的差距。三星電子今(30)日宣布,3奈米晶片將正式投入量產,預估與5奈米晶片相比可節省45%電力,不僅超前台積電,更是全球最先量產3奈米晶片的企業。

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根據韓媒《韓聯社》,三星電子30日宣布,將領先台積電優先量產3奈米製程晶片,為目前半導體產業中最先進的技術,其採用「環繞式閘極電晶體」(Gate-All-Around,GAA)技術,晶片迴路寬幅愈加細微化,不僅可減少半導體電力消耗,在數據處理速度上也更有效率。

三星電子表示,採GAA第1代技術的3奈米製程晶片,與以往採用FinFET架構的5奈米製程晶片相比,可以節省45%的電力、提升23%的效能、減少半導體16%的面積,預計明年導入的GAA第2代技術更可節省50%的電力、提升30%的效能、縮小半導體35%的面積。

此次3奈米製程的晶片,由具有「極紫外光微影製程」(EUV)的三星電子華城廠區S3生產線量產製造。

▲三星電子在南韓京畿道華城的晶片生產工廠。(圖/達志影像)

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三星電子計畫,透過此次3奈米製程晶片量產,追趕全球晶圓代工市占率第一的台積電,同時預計於2025年展開採用GAA第2代技術的2奈米晶片製程。

台積電則預計今年下半季開始量產3奈米製程晶片,至於GAA技術則從2奈米製程晶片開始採用。

根據台灣市調公司集邦科技(TrendForce)調查,今年第1季全球晶圓代工市占率,台積電以53.6%(第1名)遙遙領先三星電子的16.3%(第2名)。

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