外銀估10年內 3D DRAM技術有望成形!

▲3D DRAM在當前十年內有望成形。(示意圖/資料照)

記者陳依旻/台北報導

隨著時間推移,DARM技術遷移和微縮面臨越來越多的挑戰,瑞銀投資銀行全球研究部指出,在當前10年內,3D DRAM技術有望於後期成形。

瑞銀投資銀行全球研究部指出,使用極紫外光刻(EUV)能應對一部分挑戰,但它無法解決所有難題。因此,供應商已將目光投向其他領域,雖然仍處於探索階段,但採用3D DRAM是更有希望的解決方案,這能縮小DRAM記憶元件尺寸,從而提高密度;並說明,在借助多場行業和專家電話會以及瑞銀實證所(UBS Evidence Lab)IP分析,得出以下3大結論:

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第一, 3D DRAM最早可能於2027年開始初期生產,到2028到29年開始實質性量產。

第二, 這是工藝的進化,光刻仍將是促成微縮的關鍵因素。

第三, 不同於投資者的一貫認知,它與3D NAND快閃記憶體的相似性有限。

瑞銀實證所從3D DARM相關的專利申請達到5,282項中分析3D DRAM並不遙遠。

瑞銀投資銀行全球研究部預計,朝向3D DRAM轉型可能令DRAM終端晶圓製造設備(WFE)市場增長8到10%,或整體市場增長2%。

另外,瑞銀半導體美國分析師指出,中國智慧手機2021年12月出貨量同比增長29.6%,全年同比增長16%,強勁表現主要由本土品牌拉動,因iPhone 12發佈延期導致比較基數異常高,讓本土品牌的市占率再次上升,達到88%,雖然隨著iPhone交付情況改善,市占率可能仍低於90%的長期平均水準;而5G智慧手機繼續增長,2021年全年來看,5G出貨量增長63.5%,全年滲透率約為78%,2020年約為55%,印證了中國強勁的5G需求。