▲美光在台據點資料照，非主要訴訟單位。（圖／記者湯興漢攝）
記者蕭文康／台北報導
中國最大快閃記憶體晶片製造商長江存儲（YMTC）向美國存儲晶片巨頭美光（Micron）及其子公司提起專利侵權訴訟，要求法院禁止美光繼續使用長江存儲的多項 3D NAND 技術專利，並賠償損失和訴訟費用，美國加州北區地方法院已立案審理。
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《環球時報》、《彭博社》等外媒報導，長江存儲稱，美光的多款固態硬碟產品涉嫌侵犯了長江存儲的 8 項專利，這些專利涉及到 3D NAND 記憶體的形成方法、控制方法、直通陣列接觸 (TAC)、讀取方法和多層堆疊方法等方面。
分析家表示，此舉是中國記憶體晶片企業正式對美國晶片企業發起反擊的標誌性事件，也標誌著中國企業在記憶體晶片領域領先全球，完全擺脫美國的製裁。
《第一財經》報導，長江儲存表示，該訴訟旨在結束美光科技對其專利創新技術的廣泛且未經授權的使用。長江儲存稱美光科技非法使用其專利技術來抵禦市場競爭並取得和保護市佔率。
長江儲存表示，去年11月，分析和追蹤快閃記憶體市場的TechInsights公司得出的結論是，中國公司是3D NAND快閃記憶體領域的領導者，超過了美光科技。
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《IT之家》指出，NAND快閃記憶體和DRAM是記憶體晶片的兩種主要類型。 其中NAND 快閃記憶體可用於製造固態硬碟等儲存設備，這些設備用於手機伺服器和個人電腦等產品。
2018年，長江儲存量產了第一代32層3D NAND快閃記憶體晶片，並於2020年開發了兩款128層快閃記憶體產品。 2022年10月，美國政府發佈出口管制條例，限制晶片製造設備出口中國，同年 12月，美國將長江儲存列入出口管制實體清單。
快閃記憶體之外，美光也是主要的DRAM生產商之一。 2016年，另一家生產DRAM晶片的主要記憶體晶片公司福建金華積體電路有限公司（JHICC）與聯華電子簽署了技術合作協議，開發DRAM相關製程技術。該公司在中國東部福建省晉江市投資56.5億美元興建12吋晶圓廠生產線。
2017年，美光在美國起訴晉華和聯華電子，聲稱晉華員工竊取了其智慧財產權。一年後，美國商務部將晉華國際列入出口管制實體名單。
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